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半导体制造中的膜厚测量——大塚电子膜厚仪的应用实例

更新时间：2026-06-10      浏览次数：12

半导体制造中的膜厚测量——大塚电子膜厚仪的应用实例


半导体制造工艺涉及数十层薄膜的沉积、刻蚀与抛光，每层薄膜的厚度偏差都可能导致芯片性能下降甚至报废。大塚电子的膜厚测量设备在半导体各工序中发挥着关键作用，从裸晶片到配线工序，形成了一套完整的光学检测解决方案。

在薄膜沉积工艺中，Smart膜厚仪可用于测量光刻胶、SiO₂、Si₃N₄、High-k介质等薄膜的厚度，确保刻蚀与沉积工艺窗口精准可控。设备采用光谱反射干涉法，能够以非接触方式精确测量纳米级薄膜的厚度，测量范围覆盖1 nm至92 μm。在CMP研磨过程中，大塚电子可提供对研磨工艺的实时监控方案，确保研磨后晶圆表面膜厚的均匀性。

大塚电子还在真空环境下配备了在线嵌入式膜厚检测设备。通过使用各种法兰对应的耐真空光纤，可以在高真空环境下测量反射和透射光谱。膜厚运算采用大塚电子的算法，不易受到基膜上下移动的影响，可作为实时监视器使用。在半导体前道工序中，从成膜工艺到晶圆研磨过程监控，大塚电子提供了涵盖大气、真空等复杂环境条件下的完整在线嵌入式厚度解决方案。这些技术的应用，为半导体制造企业提升良率和生产效率提供了有力保障。


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