ULVAC Qulee RGM2 系列反应型残余气体分析仪半导体腐蚀真空工艺应用研究

更新时间：2026-07-15

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ULVAC Qulee RGM2 系列反应型残余气体分析仪技术架构、性能参数及半导体腐蚀真空工艺应用研究

针对刻蚀、CVD、ALD 等含腐蚀性活性气体真空工艺常规质谱设备耐腐蚀差、压力适配窄、响应滞后等短板，本文系统研究 ULVAC 爱发科 Qulee RGM2 一体化差动式工艺气体监测仪。阐述其四极质谱检测、磁屏蔽封闭式抗腐蚀离子源、集成差动排气系统核心技术，梳理 RGM2-202/RGM2-302 全系列硬件规格、检测性能，对比 CGM2 紧凑型 RGA 适用场景差异，分工艺给出选型方案与在线质控逻辑，为半导体、精细真空化工设备配套提供标准化技术参考。

一、核心检测与抗腐蚀技术原理

RGM2 采用四极质量分离架构，待测工艺气体经 VCR1/2 标准接口进入差动缓冲腔体，经梯度降压后送入磁封闭离子源；70eV 标准电离电压完成离子化，磁场约束离子束降低腐蚀性气体与电极吸附，软电离结构抑制副产物热分解。离子束经四极杆完成质荷比筛选，由 FC/SEM 双检测器采集离子电流，同步输出分压数值、全质谱图谱、工艺总压力，实现组分定性、微量杂质定量、工艺终点同步监测。内置差动真空机组构建梯度压力缓冲，隔离工艺高压与分析管超高真空区间，从结构上保护传感单元不受腐蚀介质冲击。

二、全系列标准化技术参数

质量范围：RGM2-202（1~200amu）、RGM2-302（1~300amu）；分辨率 M/ΔM=1M（10% 峰高标准）
检测单元：法拉第杯 + SEM 双检测器，灵敏度 1×10⁻³A/Pa，最小检出分压 1×10⁻¹⁰Pa
离子源：带永磁闭环式，Ir/Y₂O₃耐腐蚀 V 型灯丝，电离电压 20~70eV 可调
差动排气系统：集成 UTM70B 分子泵 + 前置泵，适配工艺压力 0.5~500Pa
操作与通讯：独立触控显示屏，无 PC 本地运行；以太网通讯，单软件最多联动 32 台；传感器最高 120℃在线烘烤
合规标准：CE 安全与电磁兼容认证，适配 Class1 无尘车间

三、与 CGM2 紧凑型 RGA 核心场景区分

CGM2 无差动泵组，最高耐受 2Pa，仅适配溅射、蒸镀等洁净无腐蚀低真空腔体，侧重基础检漏与水汽管控；RGM2 标配完整差动排气，抗腐蚀离子源，支持 500Pa 高压腐蚀工艺，主打刻蚀、CVD、ALD 反应过程实时监控、终点判定，面向先进半导体量产产线。

四、真空化工与半导体工程化应用

干法刻蚀制程：实时监测卤素反应气体、刻蚀副产物浓度，自动识别刻蚀终点，减少晶圆过刻损耗；
CVD/ALD 薄膜沉积：监控金属有机前驱体残留、腔体微量渗漏，稳定薄膜均匀度与电学性能；
真空腔体维护：批量生产中持续检测水汽、润滑油碳氢杂质，预判密封圈腐蚀失效，规划预防性维护；
科研腐蚀真空反应釜：精细化工气相沉积、特种材料腐蚀工艺长期组分溯源分析。

RGM2 一体化集成设计减少现场管路搭建，降低二次泄漏风险；内置设备维护追溯系统，自动记录灯丝、倍增管运行时长，精准推送保养周期，大幅降低产线运维成本，是腐蚀性真空工艺在线气相分析的标准化精密仪器。

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ULVAC Qulee RGM2 系列反应型残余气体分析仪 半导体腐蚀真空工艺应用研究

一、核心检测与抗腐蚀技术原理

二、全系列标准化技术参数

三、与 CGM2 紧凑型 RGA 核心场景区分

四、真空化工与半导体工程化应用

ULVAC Qulee RGM2 系列反应型残余气体分析仪半导体腐蚀真空工艺应用研究